- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11551 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H01L 27/11551
Brevets de cette classe: 580
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
86 |
Kioxia Corporation | 9847 |
81 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
73 |
Monolithic 3D Inc. | 270 |
57 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
49 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
45 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
29 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
27 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
17 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
17 |
Lam Research Corporation | 4775 |
17 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
11 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
Intel Corporation | 45621 |
8 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
5 |
Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | 1001 |
4 |
Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
3 |
Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
3 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
3 |
Phison Electronics Corp. | 649 |
2 |
Autres propriétaires | 34 |